iStar系列产品提供多种分辨率芯片以获得清晰的图像和光谱分辨率,同时具有高动态范围。
采用光纤锥耦合的方式耦合像增强器和传感芯片,提高搜集效率。而棱镜耦合的方案则会导致通光量降低,成像变形等弊端。
型号 | iStar CCD 312 | iStar CCD 320 | iStar CCD 334 | iStar CCD 340 | iStar sCMOS |
像素矩阵 | 512 x 512 | 1024 x 256 | 1024 x 1024 | 2048 x 512 | 2560 x 2160 |
像素尺寸(μm) | 24 | 26 | 13 | 13.5 | 6.5 |
高空间/光谱分辨率 | - | - | Yes | Yes | Yes |
快速成像率 | Yes | - | - | - | Yes |
快速光谱速率 | Yes | Yes | Yes | - | Yes |
窄带光谱学 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
同时宽带光谱学 | - | Yes | - | Yes | - |
扩展的多通道 | Yes | - | Yes | - | Yes |
一体式时间延时控制器(DDG¬TM)
内置低抖动、短插入延时电路保证精确的时间控制功能,确保芯片、像增强器门控和外部硬件同步。
- 门宽和步长设置,10ps精度
- 3路外触发信号,10ps精度
门控技术-超快光阴极快门
- <2ns真实快门,精确瞬态研究
- Intelligate™- MCP在UV波段提高通断比
- 500kHz 连续光阴极重复频率 – 高重复频率实验下提高信噪比
ICCD的响应受限于像管的量子效率,主要由入射窗口和光阴极决定。入射窗口一般决定短波长的透过率而光阴极板决定了长波的响应。
Andor iStar产品选用全新GenII(基于alkali), GenIII(基于GaAs)像增强器,响应速度快、分辨率高、门宽低至纳秒级别、响应覆盖VUV(129nm)到 短波(1100nm),量子效率高达50% 。
二代光阴极
三代光阴极
光阴极 | 型号 | 光谱范围 | 峰值QE | | 推荐 |
-03 | Gen 2 | 180-850 nm | 18% | <2 ns | 等离子体成像、LIBS、瞬态发光/吸收、燃烧(LIF,PLIF) |
-04 | Gen 2 | 180-850 nm | 18% | <2 ns | 快动力学选用P46 |
-05 | Gen 2 | 120-850 nm | 16% | <5 ns | VUV选用MgF2光窗 |
-13 | Gen 2 | 180-920 nm | 13.5% | <50 ns | NIR瞬态光致发光 |
-63 | Gen 3 | 280-760 nm | 48% | <2 ns | 在VIS波段的瞬态荧光,等离子体研究和光子计数研究 |
-73 | Gen 3 | 280-910nm | 26% | <2 ns | 在VIS-IR波段的瞬态荧光,等离子体研究和光子计数研究 |
-83 | Gen 2 | 180-850nm | 25% | <100 ns | UV波段瞬态研究 |
-93 | Gen 3 | 180-850 nm | 4% | <3 ns | NIR-IR瞬态光致发光 |
-A3 | Gen 3 | 280-810nm | 40% | <2 ns | 在VIS-NIR波段的瞬态发光,等离子体研究和光子计数研究 |
-E3 | Gen 2 | 180-850 nm | 22% | <2ns | 结合高QE、UV响应、ns门宽特点,适合LIBS、瞬态荧光和吸收、等离子体研究、燃烧(LIF/PLIF) |